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       隨著感性負載和非線性負載的大量增加，電網(wǎng)中的無功功率大量增加，使得電網(wǎng)效率大大降低。為此，無功補償設(shè)備已經(jīng)作為標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備配備 到變配電的各個環(huán)節(jié)。在終端用戶中，使用低壓電容器進行無功補償是最常用的辦法。傳統(tǒng)方法中，低壓電容補償一般由控制器、若干低壓電容器、交流接觸器、電抗器及保護器件在箱、屏內(nèi)組裝而成，存在著電容投切沖擊大、接觸器和電容器損壞較快、接線復(fù)雜體積龐大、產(chǎn)品 成型后配置和調(diào)整困難等諸多問題。為了解決這些問題,許多廠家將電力電子技術(shù)應(yīng)用到低壓電容補償中來，研發(fā)以復(fù)合開關(guān)為關(guān)鍵器件的智能低壓電容器,從而使得電容投切沖擊小，接線簡潔，體積顯著減小，積木式配置和調(diào)整簡單，接觸器和電容器壽命延長。但是從實際使用情況看、還存在著復(fù)合開關(guān)容易損壞的問題。

復(fù)合開關(guān)易損原因分析
1、設(shè)計選型不合理

       復(fù)合投切開關(guān)雖然稱之為“零壓差投入、零電流投切”零投切的可控硅,工作時間很短，但所接負載是大容量的低壓電力電容器,且導(dǎo)通瞬間負載處于短路狀態(tài)，受可控硅最低導(dǎo)通電壓限制和過零檢測偏差的影響，不能實現(xiàn)理想狀態(tài)下的電壓過零導(dǎo)通，仍有較大的電流上升率(di/dt)和峰值出現(xiàn)。同時，系統(tǒng)中的大功率器件的投切也會產(chǎn)生較大地涌流。按照工程實踐，電流相關(guān)參數(shù)選擇應(yīng)有一定的安全富余量，但大多數(shù)用戶由于考慮經(jīng)濟原因，在設(shè)計復(fù)合開關(guān)產(chǎn)品中的可控硅很少選用達到較高富余量指標(biāo)的產(chǎn)品。
2、電壓相關(guān)參數(shù)指標(biāo)達不到要求

       (1)可控硅在導(dǎo)通時較大的電流上升率(di/dt)的電流中包含豐富的頻率成分,同樣電網(wǎng)中也存在著豐富的諧波，某些頻率有可能會在電路中諧振從而產(chǎn)生較高地過電壓。
       (2)工作于低壓電力電容器零投切控制的可控硅，在其截止后一段時間內(nèi)，所承受的反向峰值電壓為電源電壓最大值和電容器上充電電壓最大值的疊加低壓電力電容器上的充電電壓最大值UCM與可控硅上所承受的反向電壓最大值UZM，分別為:
UCM=1.414x380×(1+20%)≈645(V)
UZM-1414x380×(1+20% )+UCM≈1290(V)
1.414為正弦波系數(shù)；20%為電源電壓上波動范圍。按最低2倍安全系數(shù)計算，可控硅的Uked至少取2500V以上。
目前小容量(100A及以下)的可控硅國內(nèi)外市場尚無Uked超過1600V的產(chǎn)品,而使用大容量的可控硅又對經(jīng)濟指標(biāo)產(chǎn)生影響，所以很少有廠家采用，造成現(xiàn)有復(fù)合開關(guān)中的可控硅截止時處于電壓危險區(qū)，很容易擊穿損壞。

希拓 單相晶閘管投切開關(guān)

電容常見的投切方式對比
我們的優(yōu)勢您一目了然

接觸器方式投切方式一
優(yōu)點：價格低、初期成本低
缺點：涌流大（易對電容造成傷害），動作時間長，故障高，維修頻繁

復(fù)合開關(guān)投切方式二
優(yōu)點：無涌流，不發(fā)熱，造價經(jīng)濟
缺點：硅片薄，易擊穿燒毀；磁保繼電器有卡主現(xiàn)象

友商晶閘管（可控硅）投切方式三
優(yōu)點：過零投切，無涌流，無觸點，壽命長，維修少

希拓電氣 晶閘管（可控硅）投切開關(guān)
電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，無沖擊電流； 光電隔離，抗干擾能力強，響應(yīng)時間＜15ms
專利散熱片，無軸流風(fēng)機，主動散熱，運行無噪聲，組件免維護，使用壽命長；內(nèi)置過溫（85℃）保護；
三色LED信號燈分別顯示開關(guān)通電、運行、故障狀態(tài)；兼容性強，可與全球各種規(guī)格無功補償控制器配套。