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一、 可控硅開(kāi)關(guān)特點(diǎn)
一般用于TSC技術(shù)的低壓動(dòng)態(tài)補(bǔ)償用的可控硅開(kāi)關(guān)都采用大功率晶閘管反并聯(lián)封裝，其額定電流可達(dá)數(shù)百安培，反向耐壓可達(dá)1800v以上。由于其具有電力電子器件的特性，因此在通過(guò)檢測(cè)電壓過(guò)零點(diǎn)時(shí)給可控硅觸發(fā)信號(hào)實(shí)現(xiàn)無(wú)觸點(diǎn)、無(wú)涌流投切，并且響應(yīng)時(shí)間快，在半個(gè)波形周期內(nèi)就能實(shí)現(xiàn)觸發(fā)導(dǎo)通。由于可控硅屬半導(dǎo)體器件，通態(tài)電流比較大時(shí)，會(huì)有一定的發(fā)熱。

二、 復(fù)合開(kāi)關(guān)特點(diǎn)
復(fù)合開(kāi)關(guān)又叫機(jī)電一體化開(kāi)關(guān)，是由交流接觸器和可控硅相并聯(lián)封裝而成。其導(dǎo)通利用可控硅實(shí)現(xiàn)無(wú)涌流投切，投切完成后再將交流接觸器主回路閉合，并退出可控硅。這一優(yōu)點(diǎn)是運(yùn)行時(shí)發(fā)熱相對(duì)于可控硅稍小一些。

復(fù)合開(kāi)關(guān)因交流接觸器與可控硅的相互制約導(dǎo)致無(wú)法實(shí)現(xiàn)較大的通態(tài)電流，反向耐壓只能達(dá)到1600v并且投切過(guò)程復(fù)雜，可控硅開(kāi)斷頻繁，容易被擊穿，造成故障率較高，一般用于農(nóng)網(wǎng)臺(tái)區(qū)的小容量補(bǔ)償。

三、兩者應(yīng)用的差異分析

首先從運(yùn)行維護(hù)上考慮，通常用三只單相的可控硅固定在鋁合金強(qiáng)制風(fēng)冷散熱模塊上，后期維護(hù)方便，如出現(xiàn)某只可控硅損壞可快速更換，其他可控硅可繼續(xù)使用。由于復(fù)合開(kāi)關(guān)采用交流接觸器與可控硅小形三端封裝，如內(nèi)部任意部件出現(xiàn)故障，只能將整體更換，后期維護(hù)費(fèi)用高。

從造價(jià)上考慮，假設(shè)某一套補(bǔ)償裝置容量360kvar，如采用復(fù)合開(kāi)關(guān)，其單組最大容量為30kvar，也就是該套裝置需要分12個(gè)支路，而選用可控硅作為投切開(kāi)關(guān)，其最大單組容量為90kvar，如按照30+60+90+90+90分組可在實(shí)現(xiàn)同樣補(bǔ)償效果的前提下減少7個(gè)支路，因此減小了一定的造價(jià)。

從安裝上考慮，在配電抗器的前提下，以1000*1000*2200的GCK柜體為例，采用復(fù)合開(kāi)關(guān)安裝12支路，將需要兩面柜體。如采用可控硅作為投切開(kāi)關(guān)只需一面柜體即可。

四、 希拓電氣可控硅開(kāi)關(guān)

STT標(biāo)準(zhǔn)型晶閘管投切模塊技術(shù)源自德國(guó)，我司在充分消化吸收德國(guó)技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上，研制出了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護(hù)電路，智能型散熱片組成。自主專(zhuān)利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā)，電流過(guò)零斷開(kāi)，真正實(shí)現(xiàn)投切無(wú)涌流，跟隨速度快，有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷，平均響應(yīng)時(shí)間小于15ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。