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隨著低壓無功補(bǔ)償裝置的廣泛應(yīng)用，如何選擇電容柜投切開關(guān)便成為備受關(guān)注的問題。目前主要有3種電容柜投切開關(guān)裝置，分別是切換電容接觸器、晶閘管投切開關(guān)、復(fù)合開關(guān)。每種電容柜投切開關(guān)都各有優(yōu)越點(diǎn)，建議用戶通過對各種電容投切裝置性能比較，根據(jù)工程上的要求來有目的地進(jìn)行選型。以實(shí)現(xiàn)滿意的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性能。

1、機(jī)械式接觸器投切電容裝置
接觸器投切過程中，電容器的初始電壓為零，觸點(diǎn)閉合瞬間，絕大多數(shù)情況下電壓不為零、有時(shí)可能處在高峰值，極少為零，因而產(chǎn)生非常大的電流，也就是常說的合閘涌流。實(shí)驗(yàn)表明合閘涌流嚴(yán)重時(shí)可達(dá)電容器額定電流的50倍。這不僅影響電容器和接觸器的壽命，而且對電網(wǎng)造成沖擊，影響其它設(shè)備的正常工作。因此，后來采用串接電抗器和加入限流電阻來抑制涌流，這雖然可以控制合閘涌流在額定電流的20倍以內(nèi)，但從長期運(yùn)行情況來看，其故障率仍然非常高，維修費(fèi)用較高?？偟膶?shí)踐應(yīng)用反映，其價(jià)格低，初期投入成本上升少，無漏電， 缺點(diǎn)是涌流大、壽命短、故障多、維修費(fèi)用高。 

2、電子式無觸點(diǎn)可控硅投切電容器裝置
可控硅投切電容器是利用了電子開關(guān)反應(yīng)速度快的特點(diǎn)。采用過零觸發(fā)電路，檢測當(dāng)施加到可控硅兩端電壓為零時(shí)，發(fā)出觸發(fā)信號，可控硅導(dǎo)通。此時(shí)電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等，因此不會產(chǎn)生合閘涌流，解決了接觸器合閘涌流的問題。但是，可控硅在導(dǎo)通運(yùn)行時(shí)，可控硅結(jié)間會產(chǎn)生一伏左右的壓降。通常15KVAR三角形接法的電容器，額定電流22A，則一個(gè)可控硅消耗功率約為22W。如以一個(gè)150KVAR電容柜來算，運(yùn)行時(shí)可控硅投切裝置消耗的功率可達(dá)600W，而且都變成熱量使機(jī)柜溫度升高。同時(shí)可控硅有漏電流存在，未接電容時(shí)，即使可控硅未導(dǎo)通，其輸出端也是高電壓。其優(yōu)點(diǎn)是無涌流、無觸點(diǎn)、使用壽命長、維修少、投切速度快在5ms內(nèi)，缺點(diǎn)是價(jià)格高為接觸器的3倍。 

3、復(fù)合開關(guān)投切電容裝置
復(fù)合開關(guān)投切裝置工作原理是先由可控硅在電壓過零時(shí)投入電容器，然后再由磁保持繼電器觸點(diǎn)并聯(lián)閉合，可控硅退出，電容器在磁保持繼電器觸點(diǎn)閉合下運(yùn)行。因而實(shí)現(xiàn)了投入無涌流運(yùn)行不發(fā)熱的目的。但為了降低成本，通常選用兩只小功率，低耐壓可控硅串聯(lián)使用，利用可控硅20ms內(nèi)電流可過載10倍額定電流的特性過零投入，再用繼電器閉合運(yùn)行。而磁保持繼電器觸點(diǎn)偏小且額定機(jī)械壽命一般為5萬次，從目前投入市場使用情況看，可控硅時(shí)有擊穿，磁保持繼電器也有卡住不動(dòng)作現(xiàn)象，工作不夠穩(wěn)定?？偟闹v，優(yōu)點(diǎn)是無涌流、不發(fā)熱、節(jié)能、其缺點(diǎn)是價(jià)格高為接觸器的5倍、壽命短、故障較多、有漏電流、投切速度0.5s左右。 

從以上分析提出建議如下： 
1、用于無功量比較穩(wěn)定，不需要頻繁投切電容補(bǔ)償?shù)挠脩?，可選用帶限流電阻的接觸器投切電容裝置，這種裝置比較經(jīng)濟(jì)、價(jià)格低。由于投切次數(shù)少，相應(yīng)壽命就夠長了。 
2、對于需要快速頻繁投切電容補(bǔ)償的用戶，比如電焊、電梯等設(shè)備，應(yīng)選用無觸點(diǎn)可控硅投切電容裝置，才能達(dá)到應(yīng)有的補(bǔ)償效果。 
3、對于其他一般工廠、小區(qū)和普通設(shè)備，無功量變化時(shí)間大于30s的地區(qū)，則考慮選用對電網(wǎng)無沖擊、節(jié)能、安全、經(jīng)濟(jì)、使用壽命長的無涌流電容投切器。